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从事离子注入合成SOI（silicon on insulator, 绝缘体上硅）的结构表征、材料质量的改善、宏观性能如光学、电学性质、抗辐照特性与微观结构的关系研究工作。长期的科研积累，在SIMOX材料的实用化和工程化与规模化生产的质量控制与保证体系的建立过程中发挥重要作用。并作为微系统所SOI材料研发团队的负责人之一， 共同创建了上海新傲科技有限公司 - 我国新一代硅基集成电路材料SOI生产基地，成为全球重要的SOI材料研发中心。实现了SOI材料技术的重大突破。2005年获得上海市科技进步一等奖（第三完成人），2006年获得国家科技进步一等奖（第五完成人）。在SOI日渐成为国际微电子器件的主流基础材料基础上，开发SOI功率器件新结构和SOI BCD技术，提高功率集成电路的集成度、降低其功耗、提高其高温、辐射环境下的可靠性。同时对离子束注入方法以及原子层沉积方法合成功能薄膜的机制，相互作用的物理过程和硅基发光材料的合成及其发光器件的研制有深入研究。在国际学术刊物上发表九十余篇论文，授权国内发明专利十五项。